其中滤波器占射频器件市场额约50%，射频PA占约30%，射频开关和LNA占约10%，其他占约10%。
功率放大器、开关、天线、调谐器等核心器件成为当前市场的风口。分析机构预测，到2023年射频前端市场规模有望突破352亿美元，年复合增长率达到14%。
厂商打造自主射频供应链就成为很多厂商的追求，但纵观现状，差距仍旧明显。着眼国内市场，在本土射频厂商的合力下，2G射频器件替代率高达95%，3G替代率85%，4G
但是从国际竞争力来讲，国内的射频设计水平还处在中低端，上述射频器件厂商，销售额和市场占比与国际大厂相比仍存在较大差距。
4G到5G的演进过程中，射频器件的复杂度逐渐提升qi，产品在设计、工艺、材料等方面都将发生递进式的变化。
GaAs元件因电子迁移速率比Si高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFET金属半导体场效应晶体管
GaAs生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，GaAs需要采用磊晶技术制造，这种磊晶圆的直径通常为4-6英寸，比硅晶圆的12英寸要小得多。
依材料特性来看，SiGe高频特性良好，材料安全性佳，导热性好，而且制程成熟、整合度高，具成本较低的优势。
元器件的材料和技术可能会有所变化。SOI有可能成为重要技术，具有制作多种元器件的潜力，同时后续有利于集成。
现今毫米波天线主流成熟的方案为AiP（antenna-in-package）的模块化设计，AiP方案主要因其
IC与毫米波天线阵列相距较近，而有低路损的优点，故AiP方案已被众多学者专家深入地进行研究、设计。目前AiP封装天线技术正沿着两个技术路径发展。
一个高度集成和紧凑的射频架构用来在一个设备中同时支持Sub 6GHz和毫米波段5G将成为人们的期待。
5G时代，射频厂商愈加关注射频前端解决方案中的封装创新，如更紧密的元件布局、双面贴装、共形/划区屏蔽、高精度
5G频段分为毫米波和sub-6G，越高频段对于小型化封装的要求也就越高，通过新型封装形式去逐步实现器件封装的微型化、可量产、低成本、高精度、集成化。
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